發(fā)布時(shí)間:2023-04-03 閱讀:564
采用Mini/MicroLED技術(shù)的產(chǎn)品,包括背光和直顯,因?yàn)樯蚋鼜V、顏色更飽和、亮度、對比度均超越HDR,峰值亮度可以提升3~5倍,同時(shí)比OLED省電多達(dá)80%,而顯示壽命比OLED延長3~5倍等等巨大的優(yōu)點(diǎn),被廣泛認(rèn)為是下一代顯示技術(shù)。
然而,在Mini/MicroLED產(chǎn)品的量產(chǎn)過程中,芯片的轉(zhuǎn)移技術(shù)和成本一直是整個(gè)行業(yè)的痛點(diǎn),導(dǎo)致現(xiàn)階段Mini/MicroLED產(chǎn)品仍然價(jià)格偏高,普及率不高。以蘋果公司推出的iPad Pro為例,該產(chǎn)品采用了12.9英寸的MiniLED背光,總計(jì)使用了10384顆MiniLED芯片,按照傳統(tǒng)的LED固晶設(shè)備的速度不超過25K(實(shí)際生產(chǎn))來計(jì)算,需要24分鐘才能完成一片,效率極低。如果按照蘋果iPad, Notebook, Mac系列出貨量一年6000萬臺計(jì)算,單純蘋果一家,做背光產(chǎn)品,需要大致5000臺以上傳統(tǒng)的固晶設(shè)備。
MiniLED背光板
對Mini/MicroLED產(chǎn)業(yè)更致命的是,Mini/MicroLED的直顯需要固晶的數(shù)量是背光兩個(gè)數(shù)量級的提升,以一個(gè)65英寸、用于直顯的MiniLED產(chǎn)品為例,要實(shí)現(xiàn)1080p的顯示效果至少需要六百多萬個(gè)芯片,如果使用傳統(tǒng)的固晶設(shè)備,要生產(chǎn)一臺這樣的產(chǎn)品,單純打件時(shí)間就需要200多個(gè)小時(shí),從設(shè)備投資,廠房投資,耗電,耗氣整個(gè)生產(chǎn)來說,是整個(gè)Mini/MicroLED行業(yè)不能承受之重,所以,如何廉價(jià)高效的完成海量的芯片轉(zhuǎn)移成了整個(gè)Mini/MicroLED行業(yè)最需要解決的技術(shù)和成本痛點(diǎn)。
經(jīng)過五年的研發(fā),普萊信智能推出新一代Mini/MicroLED巨量轉(zhuǎn)移設(shè)備XBonder Pro, 最高UPH可以達(dá)到720K,無論是相對于傳統(tǒng)擺臂式固晶解決方案,還是國際廠商在主推的Stamp(印章)式巨量轉(zhuǎn)移方案或激光式巨量轉(zhuǎn)移方案,都在技術(shù)、設(shè)備投資、廠房建設(shè)、生產(chǎn)成本(耗電,耗氣,潔凈房)上有著顛覆性的成本優(yōu)勢:
一、全球領(lǐng)先的刺晶工藝:傳統(tǒng)的固晶機(jī)均為Pick&Place模式,XBonder Pro采用倒裝COB刺晶工藝;
二、超高速:傳統(tǒng)高速固晶機(jī)生產(chǎn)速度(UPH)不高于40K,XBonder Pro最高生產(chǎn)速度達(dá)到720K;
三、高精度:根據(jù)芯片尺寸及Pitch大小,貼裝精度控制在±15μm以內(nèi),最高精度達(dá)到±5μm;
四、全尺寸芯片支持:支持芯片尺寸10μm~800μm,覆蓋從MicroLED到MiniLED的全芯片尺寸;
五、背光直顯全支持:根據(jù)芯片大小,芯片間距可以做到最小10μm,支持各種RGB模式的直顯打件需求;
六、占地小,能耗低:在相同UPH產(chǎn)能下,占地空間、耗電、耗氣量為傳統(tǒng)固晶機(jī)的15%以下;
七、支持大基板:XBonder Max專為大尺寸基板設(shè)計(jì),最大可以支持500x600的基板;
八、工藝簡單:不需要排片工藝,在傳統(tǒng)分選上直接打件,規(guī)避了激光或者Stamp方式巨量轉(zhuǎn)移在排片上的瓶頸,極大降低設(shè)備投資,占地和能耗。
XBonder Pro打件技術(shù)性能表
XBonder Pro支持直顯及背光MicroLED到MiniLED全芯片尺寸,無論和傳統(tǒng)擺臂式固晶方案,還是和Stamp(印章)式或者激光式巨量轉(zhuǎn)移方案比較,在技術(shù)、設(shè)備投資、生產(chǎn)成本上都有著巨大優(yōu)勢。
XBonder Pro和傳統(tǒng)擺臂式固晶方案對比
XBonder Pro相對傳統(tǒng)擺臂式固晶方案具備的優(yōu)勢:
一、技術(shù)優(yōu)勢:傳統(tǒng)擺臂式固晶設(shè)備最小支持75μm以上芯片,而XBonder Pro可支持升級到50μm以下的MicroLED芯片,具有更高的精度和良率;
二、設(shè)備投資和生產(chǎn)成本優(yōu)勢:1臺XBonder Pro相當(dāng)于6臺以上傳統(tǒng)擺臂式產(chǎn)能,XBonder Pro設(shè)備投資比傳統(tǒng)擺臂式固晶方案低20%以上,耗電、耗氣、人工只需傳統(tǒng)擺臂式固晶方式的六分之一以下。
XBonder Pro 和Stamp(印章)式巨量轉(zhuǎn)移方案對比
XBonder Pro相對Stamp(印章)式巨量轉(zhuǎn)移方案具備的優(yōu)勢:
一、技術(shù)優(yōu)勢:Stamp(印章)式巨量轉(zhuǎn)移方案致命的弱點(diǎn)是仍需要采用傳統(tǒng)的Pick&Place模式先進(jìn)行排片,這種模式下最小只能做到50μm芯片,無法支持MicroLED 50μm以下芯片,而XBonder Pro可以升級到MicroLED 50μm以下芯片;
二、設(shè)備投資和生產(chǎn)成本優(yōu)勢:如果算上排片設(shè)備,在相同產(chǎn)能下,XBonder Pro設(shè)備投資只有Stamp(印章)式巨量方案的30%左右,占地空間、耗電、耗氣、人工只需Stamp(印章)式巨量方案的六分之一以下。
XBonder Pro 和激光式巨量轉(zhuǎn)移方案對比
XBonder Pro相對激光巨量轉(zhuǎn)移方案具備的優(yōu)勢:
一、技術(shù)優(yōu)勢:雖然,激光巨量轉(zhuǎn)移單機(jī)擁有速度優(yōu)勢,但其致命的弱點(diǎn)是仍需要采用傳統(tǒng)的Pick&Place模式先進(jìn)行高精度排片,這種模式下速度上不去,且最小只能做到50μm芯片,無法升級到MicroLED 50μm以下芯片。
二、設(shè)備投資和生產(chǎn)成本優(yōu)勢:如果算上需要的排片設(shè)備,在相同產(chǎn)能下,XBonder Pro設(shè)備投資只有激光式巨量方案的30%左右,耗電、耗氣、人工只需激光式巨量方案的六分之一以下。
可以看出,不管是傳統(tǒng)擺臂式固晶方案,還是Stamp(印章)式和激光式巨量轉(zhuǎn)移方案相比較,XBonder Pro采用的針刺式巨量轉(zhuǎn)移方案都擁有巨大的技術(shù)和成本優(yōu)勢,以年產(chǎn)600萬片12.9寸背光產(chǎn)品的產(chǎn)線為例,XBonder Pro設(shè)備投資將節(jié)省30%以上,同時(shí),每年的耗電,耗氣,潔凈房開支將節(jié)省數(shù)千萬元。在經(jīng)濟(jì)下行,成本優(yōu)先的大環(huán)境下,XBonder Pro的普及將極大降低Mini/MicroLED芯片轉(zhuǎn)移成本,為Mini/MicroLED產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入活力。
來源: 普萊信
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